联电先进封装中介层获得高通验证，接近量产出货。

据报道，联电跨界先进封装迎来重大进展，自行研发的高阶中介层（Interposer）已获得高通验证，进入量产出货倒计时阶段。

供应链消息透露，联电第一批中介层1500电容已通过高通的电性测试，已经开始试产，预计2026年首季有机会量产出货。此外，高通还采购了炉管机台放在联电厂房。业界分析，此次联电通过高通认证的产品主要适配高通的IC和存储器所需要的电容规格。

据了解，联华电子的先进封装依靠光刻工具创建具有超精密硅通孔（TSV）的中介层，从而在2.5D和3D设计中实现堆叠芯片之间的通信。由于联华电子十年前就已经将硅通孔技术应用于AMD的GPU订单，早期的经验帮助其获得高通的信任。

联华电子与高通从2024年末开始展开合作，开发用于高性能计算的先进封装。目标市场包括AI PC、汽车芯片、以及快速增长的AI服务器等市场。过去联华电子在先进封装领域的作用很有限，对收入的影响也很小，现在随着高通下单，有望迎来新的增长点，缓解因成熟制程节点竞争加剧产生的巨大压力。

目前，联电在新加坡已建立2.5D封装产能，并具备晶圆对晶圆键合技术。在中国台湾南科Fab 12A厂导入14nm制程，支持高阶定制化制造，并计划结合既有技术推进更完整的封装解决方案。2025年，联电计划将先进封装产能向中国台湾地区扩展，尤其是混合键合和3D IC异质整合技术。此外，还有消息称联电正在洽谈收购其Fab 12A工厂对面的瀚宇彩晶厂房。

对此，联电表示不评论特定客户，但强调先进封装是公司积极发展的重点，将携手智原、矽统科技以及华邦电等合作伙伴，联合打造先进封装生态体系。

联电重点发力先进封装

根据联电2025年第一季度财报显示，该季度合并营收为578.59亿新台币，同比增长5.91%，但净利润同比减少25.76%至77.43亿新台币。毛利率为26.7%，较去年同期的29.4%有所下滑，主要受产能利用率下降、折旧增加及成熟制程价格竞争影响。

其中，通信、消费电子和计算机应用仍是主要收入来源，分别占比39%、29%和13%。尽管AI服务器和车用电子需求增长，但联电在先进制程的收入占比仍较低，且先进封装业务尚未形成规模贡献。

2024年联电研发投入达新台币156亿元，重点支持先进封装和特殊制程开发。2025年第一季度研发费用未单独披露，但联电表示将持续投入混合键合和3D IC技术，目标在2026年实现量产突破。资本支出方面，2025年预计低于 2024 年的32.98亿美元，主要用于新加坡Fab 12i厂扩建（22/28nm 产能）和中国台湾地区先进封装产线建设。

联电董事长洪嘉聪表示，将持续优化特殊制程（如12FFC）和先进封装技术，目标在2025年后将长期毛利率提升至30%-40%。同时，公司计划通过整合晶圆代工与封装服务，打造完整的系统级解决方案，以应对市场变化和竞争。

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